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超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统--LMBE450
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超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统--LMBE450

系统由真空腔室(外延室、进样室)、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。
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市场价
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浏览量:
1000
产品编号
真空室结构:
球形前开门双室
真空室尺寸:
镀膜室尺寸:Ф450mm ;进样室尺寸:Ф150x300mm
极限真空度:
镀膜室≤6.0E-8Pa;进样室:≤6.0E-5Pa
沉积源:
φ2英寸靶材,4个;或φ1英寸靶材,6个
样品尺寸,温度:
φ2英寸,1片,最高800℃
占地面积(长x宽x高):
约2.8米x1.3米x1.9米
电控描述:
部分电动控制
工艺:
特色参数 :
配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器
数量
-
+
库存:
1
产品描述
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产品概述:
系统由真空腔室(外延室、进样室)、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。

设备用途:
脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION,简称PLD)是新近发展起来的一项技术,继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后,它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比,脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程,因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜,非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜,显示出了诱人的应用前景。
 

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