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CVD设备

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition (CVD))是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成薄膜或纳米材料的方法,其原理是利用气态的先驱反应物,

通过原子、分子间化学反应,使得气态前驱体中的某些成分分解,而在基材上形成薄膜,

是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。

CVD镀膜特点

镀膜的绕镀性好

可涂镀各种复杂形状工件,特别对涂镀带有盲孔、沟、槽的基体以及在颗粒材料上沉积。

更好的台阶覆盖特性

镀层的化学成分可以改变,从而获得梯度沉积物或者混合镀层。

镀层密度和纯度可控

可准确控制薄膜的组分及掺杂水平使其组分具有理想化学配比。

薄膜与基体间结合力强

因沉积温度高,镀层与基体结合强度高,可大幅度改善晶体的结晶完整性。

PECVD镀膜设备

PECVD镀膜设备采用等离子体增强化学气相沉积技术,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,
用以制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件。

硬碳膜制备设备

单室立式结构的高真空镀膜设备,可用于开发单层膜—类金刚石膜(DLC)等。类金刚石膜具有红外光谱透过率高、硬度高、摩擦系数小、化学稳定性好等优点,
可以作为多种光学材料的增透膜和保护膜,起到抗磨损、抗腐蚀、抗潮解和抗氧化的作用。适用于红外透镜的研发等。

高真空硬碳膜制备系统--FHL600
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MOCVD镀膜设备

主要应用于有机金属化合物半导体材料的研究和制备,为当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,
如激光器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极等的制备,是光电子等产业不可缺少的设备。

金属有机源气相沉积系统--MOCVD
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