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碳化硅晶体生长炉

主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定，运行平稳，且有多项安全防护设施，质量流量及温度控制精确，整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，并可实现过程全自动（CCD）控制、信息记录。

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1000

产品编号

所属分类

碳化硅晶体生长炉

真空室结构:

生长室采用石英管结构，石英管上下密封法兰采用316L材料，表面进行特种工艺处理，采用进口氟橡胶圈密封

真空室尺寸:

石英腔体规格：内径400mm，高度1100mm

极限真空度:

≤6.6E-5pa(冷态、空炉)

沉积源:

极限真空度：≤6.6×10-5pa(冷态、空炉)　系统真空检漏漏率：石英腔体体检漏漏率均≤5.0×10-7 Pa.l/S 12小时保压真空指标：≤5Pa（冷态空炉）　石英腔体规格：内径400mm，高度1100mm　可生长的晶体直径：可生长6英寸　晶体生长控

样品尺寸，温度:

6英寸

占地面积（长x宽x高）:

安装场地面积大于12㎡,场地高度不小于4.5m

电控描述:

采用计算机控制系统和触摸式屏幕显示。长晶工艺全过程直观显示，互动性强；带有自动晶体生长控制系统；单晶炉运行过程中电流，功率，温度、气体流量、水温等数据及其变化的过程以电子文档的形式记录在案，方便晶体生长结束后分析参数并完善工况,实现生产档案管理；

工艺:

特色参数 :

数量

库存:

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产品描述

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产品概述：
主要由炉室组件、上炉室组件、样品支撑机构、测温窗传动组件、真空获得及测量系统、气路系统、水路系统、感应加热系统、自动控制系统等组成。要求设备结构设计稳定，运行平稳，且有多项安全防护设施，质量流量及温度控制精确，整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，并可实现过程全自动（CCD）控制、信息记录。

设备用途：
本设备要求采用感应加热方式，在惰性气体（氩气）环境下将石墨坩埚中的碳化硅粉末升华，沉积到碳化硅单晶仔晶上，即物理气相沉积法（PVT法）生长6″碳化硅单晶。

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碳化硅晶体生长炉

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