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CVD设备
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition (CVD))是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成薄膜或纳米材料的方法，其原理是利用气态的先驱反应物，
通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基材上形成薄膜，
是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
CVD镀膜特点
镀膜的绕镀性好
可涂镀各种复杂形状工件，特别对涂镀带有盲孔、沟、槽的基体以及在颗粒材料上沉积。
更好的台阶覆盖特性
镀层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者混合镀层。
镀层密度和纯度可控
可准确控制薄膜的组分及掺杂水平使其组分具有理想化学配比。
薄膜与基体间结合力强
因沉积温度高，镀层与基体结合强度高，可大幅度改善晶体的结晶完整性。
PECVD镀膜设备
PECVD镀膜设备采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，
用以制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件。
硬碳膜制备设备
单室立式结构的高真空镀膜设备，可用于开发单层膜—类金刚石膜（DLC）等。类金刚石膜具有红外光谱透过率高、硬度高、摩擦系数小、化学稳定性好等优点，
可以作为多种光学材料的增透膜和保护膜，起到抗磨损、抗腐蚀、抗潮解和抗氧化的作用。适用于红外透镜的研发等。
MOCVD镀膜设备
主要应用于有机金属化合物半导体材料的研究和制备，为当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，
如激光器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极等的制备，是光电子等产业不可缺少的设备。
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