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超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统--LMBE450

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超高真空激光分子束外延薄膜沉积系统--LMBE450

系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。

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市场价

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浏览量:

1000

产品编号

所属分类

激光镀膜设备

真空室结构:

球形前开门双室

真空室尺寸:

镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm

极限真空度:

镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa

沉积源:

φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个

样品尺寸，温度:

φ2英寸，1片，最高800℃

占地面积（长x宽x高）:

约2.8米x1.3米x1.9米

电控描述:

部分电动控制

工艺:

特色参数 :

配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器

数量

库存:

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产品描述

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产品概述：
系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。

设备用途：
脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。

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高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统--PLD450

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