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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统--线列式PECVD

产品对比

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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统--线列式PECVD

系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

零售价

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元

市场价

0.0

元

浏览量:

1000

产品编号

所属分类

PECVD镀膜设备

真空室结构:

方形侧开门

真空室尺寸:

设计待定

极限真空度:

≤6.0E-5Pa

沉积源:

设计待定

样品尺寸，温度:

设计待定

占地面积（长x宽x高）:

约6米×3米x2米（设计待定）

电控描述:

全自动

工艺:

片内膜厚均匀性：≤±5%

特色参数 :

数量

库存:

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产品描述

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产品概述：
系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

设备用途：
PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域，PCEVD是等离子体增强化学气相沉积英文的各个词字母的首个字母。

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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统--Cluster PECVD

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