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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统--Cluster PECVD
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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统--Cluster PECVD

系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
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市场价
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浏览量:
1000
产品编号
所属分类
PECVD镀膜设备
真空室结构:
1个中央传输室:蝶形结构;3个沉积室:方形结构; 1个进样室:方形结构
真空室尺寸:
中央传输室:Φ1000×280mm ; 沉积室:260×260×280mm ;进样室:300×300×300mm
极限真空度:
中央传输室:6.67E-4 Pa;沉积室:6.67E-6 Pa ;进样室:6.67 Pa
沉积源:
样品尺寸,温度:
114X114X3mm, 加热温度350度,机械手传递样品
占地面积(长x宽x高):
约13米x9米x2.3米(设计待定)
电控描述:
全自动
工艺:
在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%
特色参数 :
共有8路工作气体
数量
-
+
库存:
1
产品描述
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产品概述:
系统主要由3个真空沉积室(分别沉积P、I、N结)、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

设备用途:
团簇型等离子体化学气相沉积设备(PECVD),采用等离子体增强化学气相沉积技术,在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上,沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜,可以制备非晶硅、微晶硅薄膜太阳能电池器件。
 

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