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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积及热丝CVD系统---PECVD+热丝CVD400
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高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积及热丝CVD系统---PECVD+热丝CVD400

系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
零售价
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市场价
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浏览量:
1000
产品编号
所属分类
PECVD镀膜设备
真空室结构:
圆筒形上升盖
真空室尺寸:
φ400x300mm
极限真空度:
≤6.67E-5Pa
沉积源:
设计待定
样品尺寸,温度:
φ4英寸,1片,最高600℃
占地面积(长x宽x高):
约2.6米x1.6米x1.8米
电控描述:
全自动
工艺:
特色参数 :
数量
-
+
库存:
1
产品描述
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产品概述:
系统主要由真空反应室、上盖组件、喷淋头装置、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
本系统具有PECVD功能和热丝CVD功能。

设备用途:
PECVD即是化学气相沉积法,是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域,PCEVD是等离子体增强化学气相沉积英文的各个词字母的首个字母。
 

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