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线列式PECVD等离子体化学气相沉积镀膜设备
编号:SN20151013154830471
类别:PECVD系列等离子体化学气相沉积镀膜设备
  • 产品概述
  • 规格参数
  • 服务支持

    设备用途

        本设备采用等离子体增强化学气相沉积技术,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,用以制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

     

    设备组成

        多室CVD结构由2个进出片室、3个独立PECVD反应真空室按直线结构连接,工件通过传输机构输送到各个真空室中进行工艺处理,各真空室间用插板阀连接。该系统主要由真空室、真空获得系统、射频和甚高频电源、衬底加热控温系统、气路系统、尾气处理系统、传动系统等部分组成。

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